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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloG5S12005C
Global Power Technology-GPT
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

G5S12005C - Global Power Technology-GPT

fabbricante Modello di prodotti
G5S12005C
fabbricante
SemiQ
Allelco Modello di prodotti
32D-G5S12005C
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SIC 1.2KV 20.95A TO252
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
G5S12005C.pdf
In magazzino: 6815

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Specifiche

Specifiche tecnologiche G5S12005C
Specifiche tecniche Global Power Technology-GPT - G5S12005C, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Global Power Technology-GPT - G5S12005C

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante SemiQ  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7 V @ 5 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200 V  
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252  
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 50 µA @ 1200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 20.95A  
Capacità a Vr, F 424pF @ 0V, 1MHz  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Global Power Technology-GPT G5S12005C

Proprietà del prodotto G5S12005C 1N3736R R9G04212XX LL4448
Modello di prodotti G5S12005C 1N3736R R9G04212XX LL4448
fabbricante Global Power Technology-GPT Powerex Inc. Powerex Inc. Diotec Semiconductor
Contenitore dispositivo fornitore TO-252 - DO-200AB, B-PUK SOD-80C
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C - - -50°C ~ 175°C
Tipo montaggio Surface Mount - Clamp On Surface Mount
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Corrente - raddrizzata media (Io) 20.95A - 1200A 150mA
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns - 25 µs 4 ns
Serie - - - -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 50 µA @ 1200 V - 150 mA @ 4200 V 5 µA @ 75 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - DO-200AB, B-PUK DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Capacità a Vr, F 424pF @ 0V, 1MHz - - 4pF @ 0V, 1MHz
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky - Standard Standard
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200 V - 4200 V 75 V
Pacchetto Cut Tape (CT) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7 V @ 5 A - 1.45 V @ 1500 A 1 V @ 100 mA

G5S12005C Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica G5S12005C PDF e la documentazione Global Power Technology-GPT per G5S12005C - Global Power Technology-GPT.

Schede tecniche
G5S12005C.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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