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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTWA88N65M5
STWA88N65M5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STWA88N65M5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STWA88N65M5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STWA88N65M5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 84A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
STW(A)88N65M5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3474

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STWA88N65M5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STWA88N65M5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STWA88N65M5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (max) a Id, Vgs 29mOhm @ 42A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8825 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 204 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 84A (Tc)  
Numero di prodotto di base STWA88  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STWA88N65M5

Proprietà del prodotto STWA88N65M5 STWA48N60DM2 STWA45N65M5 STWA30N65DM6AG
Modello di prodotti STWA88N65M5 STWA48N60DM2 STWA45N65M5 STWA30N65DM6AG
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8825 pF @ 100 V 3250 pF @ 100 V 3470 pF @ 100 V 2000 pF @ 100 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 29mOhm @ 42A, 10V 79mOhm @ 20A, 10V 78mOhm @ 17.5A, 10V 110mOhm @ 14A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc) 300W (Tc) 210W (Tc) 284W (Tc)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.75V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247 Long Leads TO-247 TO-247 Long Leads
Numero di prodotto di base STWA88 STWA48 STWA45 STWA30
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 84A (Tc) 40A (Tc) 35A (Tc) 28A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 204 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 600 V 650 V 650 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Caratteristica FET - - - -
Serie MDmesh™ V MDmesh™ DM2 MDmesh™ V Automotive, AEC-Q101

STWA88N65M5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STWA88N65M5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STWA88N65M5 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STW(A)88N65M5.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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