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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTW8NK80Z
STW8NK80Z Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STW8NK80Z - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STW8NK80Z
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STW8NK80Z
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
ST(P,W)8NK80Z(FP).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 15355

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STW8NK80Z
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STW8NK80Z, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STW8NK80Z

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie SuperMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A (Tc)  
Numero di prodotto di base STW8NK80  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STW8NK80Z

Proprietà del prodotto STW8NK80Z STW90NF20 STW8NB100 STW8N120K5
Modello di prodotti STW8NK80Z STW90NF20 STW8NB100 STW8N120K5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 100µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.1A, 10V 23mOhm @ 45A, 10V 1.45Ohm @ 3.6A, 10V 2Ohm @ 2.5A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A (Tc) 83A (Tc) 7.3A (Tc) 6A (Tc)
Numero di prodotto di base STW8NK80 STW90N STW8N STW8
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 300W (Tc) 190W (Tc) 130W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 25 V 5736 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 505 pF @ 100 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie SuperMESH™ STripFET™ PowerMESH™ MDmesh™ K5
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 200 V 1000 V 1200 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V 164 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 13.7 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

STW8NK80Z Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STW8NK80Z PDF e la documentazione STMicroelectronics per STW8NK80Z - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Schede tecniche
ST(P,W)8NK80Z(FP).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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