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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTW70N65DM6
STW70N65DM6 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STW70N65DM6 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STW70N65DM6
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STW70N65DM6
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 68A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
STW70N65DM6.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4507

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STW70N65DM6
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STW70N65DM6, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STW70N65DM6

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie MDmesh™ DM6  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 34A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 68A (Tc)  
Numero di prodotto di base STW70  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STW70N65DM6

Proprietà del prodotto STW70N65DM6 STW72N60DM2AG STW70N60DM6 STW75N60M6-4
Modello di prodotti STW70N65DM6 STW72N60DM2AG STW70N60DM6 STW75N60M6-4
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 34A, 10V 42mOhm @ 33A, 10V - 36mOhm @ 36A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 68A (Tc) 66A (Tc) 62A (Tc) 72A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie MDmesh™ DM6 Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 MDmesh™ DM6 MDmesh™ M6
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V 121 nC @ 10 V - 106 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 100 V 5508 pF @ 100 V - 4850 pF @ 100 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc) 446W (Tc) - 446W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 600 V 600 V 600 V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4
Numero di prodotto di base STW70 STW72 STW70 STW75
Vgs (th) (max) a Id 4.75V @ 250µA 5V @ 250µA - 4.75V @ 250µA

STW70N65DM6 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STW70N65DM6 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STW70N65DM6 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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