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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTW65N60DM6
STW65N60DM6 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STW65N60DM6 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STW65N60DM6
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STW65N60DM6
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 38A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
STW65N60DM6, STWA65N60DM6.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 6826

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STW65N60DM6
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STW65N60DM6, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STW65N60DM6

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie MDmesh™ DM6  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) -  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)  
Numero di prodotto di base STW65  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STW65N60DM6

Proprietà del prodotto STW65N60DM6 STW6N90K5 STW5NK100Z STW62NM60N
Modello di prodotti STW65N60DM6 STW6N90K5 STW5NK100Z STW62NM60N
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Dissipazione di potenza (max) - 110W (Tc) 125W (Tc) 450W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc) 6A (Tc) 3.5A (Tc) 65A (Tc)
Numero di prodotto di base STW65 STW6N90 STW5NK100 STW62N
Vgs (th) (max) a Id - 5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±25V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (max) a Id, Vgs - 1.1Ohm @ 3A, 10V 3.7Ohm @ 1.75A, 10V 49mOhm @ 32.5A, 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie MDmesh™ DM6 MDmesh™ K5 SuperMESH3™ MDmesh™ II
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) - 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 900 V 1000 V 600 V

STW65N60DM6 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STW65N60DM6 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STW65N60DM6 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Schede tecniche
STW65N60DM6, STWA65N60DM6.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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