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STW36NM60ND Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STW36NM60ND - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STW36NM60ND
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STW36NM60ND
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
ST(B,W)36NM60ND.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 8557

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STW36NM60ND
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STW36NM60ND, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STW36NM60ND

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II  
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 14.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2785 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 29A (Tc)  
Numero di prodotto di base STW36  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STW36NM60ND

Proprietà del prodotto STW36NM60ND STW34NM60ND STW36N60M6 STW37N60DM2AG
Modello di prodotti STW36NM60ND STW34NM60ND STW36N60M6 STW37N60DM2AG
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.75V @ 250µA 5V @ 250µA
Numero di prodotto di base STW36 STW34 STW36 STW37
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 29A (Tc) 29A (Tc) 30A (Tc) 28A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc) 190W (Tc) 208W (Tc) 210W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80.4 nC @ 10 V 80.4 nC @ 10 V 44.3 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2785 pF @ 50 V 2785 pF @ 50 V 1960 pF @ 100 V 2400 pF @ 100 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 14.5A, 10V 110mOhm @ 14.5A, 10V 99mOhm @ 15A, 10V 110mOhm @ 14A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II FDmesh™ II MDmesh™ M6 Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2

STW36NM60ND Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STW36NM60ND PDF e la documentazione STMicroelectronics per STW36NM60ND - STMicroelectronics.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Schede tecniche
ST(B,W)36NM60ND.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
STx36NM60ND obs 26/May/2023.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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