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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTW33N60DM2
STW33N60DM2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STW33N60DM2 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STW33N60DM2
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STW33N60DM2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
ST(B,P,W)33N60DM2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3780

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STW33N60DM2
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STW33N60DM2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STW33N60DM2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie MDmesh™ DM2  
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 12A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1870 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)  
Numero di prodotto di base STW33  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STW33N60DM2

Proprietà del prodotto STW33N60DM2 STW32N65M5 STW33N60M2 STW31N65M5
Modello di prodotti STW33N60DM2 STW32N65M5 STW33N60M2 STW31N65M5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1870 pF @ 100 V 3320 pF @ 100 V 1781 pF @ 100 V 816 pF @ 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 45.5 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Numero di prodotto di base STW33 STW32N STW33 STW31
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc) 150W (Tc) 190W (Tc) 150W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc) 24A (Tc) 26A (Tc) 22A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Serie MDmesh™ DM2 MDmesh™ V MDmesh™ II Plus MDmesh™ V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 650 V 600 V 650 V
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 12A, 10V 119mOhm @ 12A, 10V 125mOhm @ 13A, 10V 148mOhm @ 11A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

STW33N60DM2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STW33N60DM2 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STW33N60DM2 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer 15/Feb/2019.pdf
Schede tecniche
ST(B,P,W)33N60DM2.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STW33N60DM2

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