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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTW15NK50Z
STW15NK50Z Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STW15NK50Z - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STW15NK50Z
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STW15NK50Z
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
STx15NK50Z(FP,-1).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 18119

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STW15NK50Z
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STW15NK50Z, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STW15NK50Z

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie SuperMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 340mOhm @ 7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2260 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)  
Numero di prodotto di base STW15  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STW15NK50Z

Proprietà del prodotto STW15NK50Z STW15NK90Z STW16NK60Z STW16N65M5
Modello di prodotti STW15NK50Z STW15NK90Z STW16NK60Z STW16N65M5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 340mOhm @ 7A, 10V 550mOhm @ 7.5A, 10V 420mOhm @ 7A, 10V 279mOhm @ 6A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc) 350W (Tc) 190W (Tc) 90W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2260 pF @ 25 V 6100 pF @ 25 V 2650 pF @ 25 V 1250 pF @ 100 V
Serie SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™ MDmesh™ V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) 15A (Tc) 14A (Tc) 12A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA 4.5V @ 150µA 4.5V @ 50µA 5V @ 250µA
Numero di prodotto di base STW15 STW15 STW16N STW16N
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 900 V 600 V 650 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 10 V 256 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V

STW15NK50Z Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STW15NK50Z PDF e la documentazione STMicroelectronics per STW15NK50Z - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
IPG-PWR/14/8674 02/Sep/2014.pdf
Schede tecniche
STx15NK50Z(FP,-1).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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