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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTV160NF02LAT4
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

STV160NF02LAT4 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STV160NF02LAT4
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STV160NF02LAT4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
Pacchetto
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Scheda dati
STV160NF02LA.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 5320

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche STV160NF02LAT4
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STV160NF02LAT4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STV160NF02LAT4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 10-PowerSO  
Serie STripFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7mOhm @ 80A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 210W (Tc)  
Contenitore / involucro PowerSO-10 Exposed Bottom Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc)  
Numero di prodotto di base STV160  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 Hours)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STV160NF02LAT4

Proprietà del prodotto STV160NF02LAT4 STV160NF03LT4 STV160NF02LT4 STV2112B
Modello di prodotti STV160NF02LAT4 STV160NF03LT4 STV160NF02LT4 STV2112B
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±15V ±15V ±15V -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V -
Dissipazione di potenza (max) 210W (Tc) 210W (Tc) 210W (Tc) -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
temperatura di esercizio 175°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ) -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7mOhm @ 80A, 10V 2.8mOhm @ 80A, 10V 2.5mOhm @ 80A, 10V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc) 160A (Tc) 160A (Tc) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V -
Contenitore / involucro PowerSO-10 Exposed Bottom Pad PowerSO-10 Exposed Bottom Pad PowerSO-10 Exposed Bottom Pad -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 15 V 4700 pF @ 25 V 4800 pF @ 15 V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Contenitore dispositivo fornitore 10-PowerSO 10-PowerSO 10-PowerSO -
Serie STripFET™ STripFET™ STripFET™ II -
Numero di prodotto di base STV160 STV160 STV160 -

STV160NF02LAT4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STV160NF02LAT4 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STV160NF02LAT4 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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