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Nord America
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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTU6N90K5
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

STU6N90K5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STU6N90K5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STU6N90K5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Pacchetto
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Scheda dati
STU6N90K5.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 40810

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche STU6N90K5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STU6N90K5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STU6N90K5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251)  
Serie MDmesh™ K5  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.1Ohm @ 3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 900 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)  
Numero di prodotto di base STU6N90  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STU6N90K5

Proprietà del prodotto STU6N90K5 STU70N2LH5 STU7N65M2 STU7LN80K5
Modello di prodotti STU6N90K5 STU70N2LH5 STU7N65M2 STU7LN80K5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±30V ±22V ±25V ±30V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 1.1Ohm @ 3A, 10V 7.5mOhm @ 24A, 10V 1.15Ohm @ 2.5A, 10V 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base STU6N90 STU70 STU7N65 STU7LN80
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Serie MDmesh™ K5 STripFET™ V MDmesh™ MDmesh™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) 48A (Tc) 5A (Tc) 5A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc) 85W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore IPAK (TO-251) I-PAK TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 900 V 25 V 650 V 800 V

STU6N90K5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STU6N90K5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STU6N90K5 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf Mult Dev Reinstate 6/Aug/2020.pdf
Schede tecniche
STU6N90K5.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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