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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTU13N60M2
STU13N60M2 Image
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STU13N60M2 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STU13N60M2
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STU13N60M2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
STx13N60M2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 48730

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STU13N60M2
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STU13N60M2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STU13N60M2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251 (IPAK)  
Serie MDmesh™ II Plus  
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 580 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)  
Numero di prodotto di base STU13  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STU13N60M2

Proprietà del prodotto STU13N60M2 STU11N65M2 STU10NM60N STU13N65M2
Modello di prodotti STU13N60M2 STU11N65M2 STU10NM60N STU13N65M2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numero di prodotto di base STU13 STU11 STU10 STU13N
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 650 V 600 V 650 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) 7A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 580 pF @ 100 V 410 pF @ 100 V 540 pF @ 50 V 590 pF @ 100 V
Serie MDmesh™ II Plus MDmesh™ II Plus MDmesh™ II MDmesh™ M2
Contenitore dispositivo fornitore TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK)
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc) 85W (Tc) 70W (Tc) 110W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 12.5 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V 670mOhm @ 3.5A, 10V 550mOhm @ 4A, 10V 430mOhm @ 5A, 10V

STU13N60M2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STU13N60M2 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STU13N60M2 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site 22/Nov/2022.pdf
Schede tecniche
STx13N60M2.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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