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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSTS4DNF60L
STS4DNF60L Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STS4DNF60L - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STS4DNF60L
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STS4DNF60L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
STS4DNF60L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 32321

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STS4DNF60L
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STS4DNF60L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STS4DNF60L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie STripFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1030pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base STS4DNF60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STS4DNF60L

Proprietà del prodotto STS4DNF60L STS4DPF30L STS4C3F60L STS4DNF30L
Modello di prodotti STS4DNF60L STS4DPF30L STS4C3F60L STS4DNF30L
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V 80mOhm @ 2A, 10V 55mOhm @ 2A, 10V 50mOhm @ 2A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A 4A 4A, 3A 4A
Potenza - Max 2W 2W 2W 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Serie STripFET™ STripFET™ STripFET™ STripFET™
Tensione drain-source (Vdss) 60V 30V 60V 30V
Numero di prodotto di base STS4DNF60 STS4D STS4C STS4D
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1030pF @ 25V 1350pF @ 25V 1030pF @ 25V 330pF @ 25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V 16nC @ 5V 20.4nC @ 4.5V 9nC @ 10V

STS4DNF60L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STS4DNF60L PDF e la documentazione STMicroelectronics per STS4DNF60L - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 18/Oct/2019.pdf
Schede tecniche
STS4DNF60L.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STS4DNF60L

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