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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSTS3DPF60L
STS3DPF60L Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STS3DPF60L - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STS3DPF60L
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STS3DPF60L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
STS3DPF60L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4120

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STS3DPF60L
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STS3DPF60L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STS3DPF60L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie STripFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 1.5A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.7nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base STS3D  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STS3DPF60L

Proprietà del prodotto STS3DPF60L STS3DNE60L STS40L45CW STS3DPF30L
Modello di prodotti STS3DPF60L STS3DNE60L STS40L45CW STS3DPF30L
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC - -
Serie STripFET™ STripFET™ - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A 3A - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA - -
Potenza - Max 2W 2W - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 25V 815pF @ 25V - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 1.5A, 10V 80mOhm @ 1.5A, 10V - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.7nC @ 4.5V 13.5nC @ 4.5V - -
Numero di prodotto di base STS3D STS3D - -
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V - -
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -

STS3DPF60L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STS3DPF60L PDF e la documentazione STMicroelectronics per STS3DPF60L - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STS3DPF60L.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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