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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTS10P3LLH6
STS10P3LLH6 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STS10P3LLH6 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STS10P3LLH6
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STS10P3LLH6
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
STS10P3LLH6.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 45920

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STS10P3LLH6
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STS10P3LLH6, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STS10P3LLH6

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie STripFET™ H6  
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3350 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)  
Numero di prodotto di base STS10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STS10P3LLH6

Proprietà del prodotto STS10P3LLH6 STS13N3LLH5 STS12NH3LL STS10N3LH5
Modello di prodotti STS10P3LLH6 STS13N3LLH5 STS12NH3LL STS10N3LH5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3350 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 965 pF @ 25 V 475 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 4.6 nC @ 5 V
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 5A, 10V 6.6mOhm @ 6.5A, 10V 10.5mOhm @ 6A, 10V 21mOhm @ 5A, 10V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Ta) 2.7W (Tc) 2.7W (Tc) 2.5W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie STripFET™ H6 STripFET™ V STripFET™ STripFET™ V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta) 13A (Tc) 12A (Tc) 10A (Tc)
Vgs (Max) ±20V +22V, -20V ±16V ±22V
Numero di prodotto di base STS10 STS13 STS12 STS10
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

STS10P3LLH6 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STS10P3LLH6 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STS10P3LLH6 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STS10P3LLH6.pdf

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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