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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTP80NF55-06
STP80NF55-06 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STP80NF55-06 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STP80NF55-06
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STP80NF55-06
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STB80NF55-06(-1), STP80NF55-06(FP).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 27811

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STP80NF55-06
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STP80NF55-06, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STP80NF55-06

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie STripFET™ II  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 189 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base STP80  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STP80NF55-06

Proprietà del prodotto STP80NF55-06 STP80NF70 STP80NF55-06FP STP80NF55L-06
Modello di prodotti STP80NF55-06 STP80NF70 STP80NF55-06FP STP80NF55L-06
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220FP TO-220
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base STP80 STP80 STP80N STP80
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 25 V 2550 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 4850 pF @ 25 V
Serie STripFET™ II STripFET™ II STripFET™ II STripFET™ II
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 190W (Tc) 45W (Tc) 300W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5mOhm @ 40A, 10V 9.8mOhm @ 40A, 10V 6.5mOhm @ 40A, 10V 6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 98A (Tc) 60A (Tc) 80A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 68 V 55 V 55 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 189 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 189 nC @ 10 V 136 nC @ 5 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube

STP80NF55-06 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STP80NF55-06 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STP80NF55-06 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Traceability 06/Mar/2017.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 18/Oct/2019.pdf
Schede tecniche
STB80NF55-06(-1), STP80NF55-06(FP).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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