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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTP80NE03L-06
STP80NE03L-06 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

STP80NE03L-06 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STP80NE03L-06
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STP80NE03L-06
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STP80NE03L-06.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4210

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STP80NE03L-06
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STP80NE03L-06, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STP80NE03L-06

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±22V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base STP80N  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STP80NE03L-06

Proprietà del prodotto STP80NE03L-06 STP80NF03L-04 STP80N10F7 STP80NF03L
Modello di prodotti STP80NE03L-06 STP80NF03L-04 STP80N10F7 STP80NF03L
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 100 V 30 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Serie - STripFET™ II DeepGATE™, STripFET™ VII STripFET™ II
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 300W (Tc) 110W (Tc) 300W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8700 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V 3100 pF @ 50 V 5500 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base STP80N STP80 STP80 STP80N
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 40A, 10V 4.5mOhm @ 40A, 10V 10mOhm @ 40A, 10V 4.5mOhm @ 40A, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±22V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
temperatura di esercizio 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 5 V 110 nC @ 4.5 V 45 nC @ 10 V 110 nC @ 4.5 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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STP80NE03L-06

STMicroelectronics
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