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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTP60NE06L-16
STP60NE06L-16 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STP60NE06L-16 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STP60NE06L-16
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STP60NE06L-16
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STP60NE06L-16(FP).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3940

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STP60NE06L-16
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STP60NE06L-16, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STP60NE06L-16

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie STripFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4150 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)  
Numero di prodotto di base STP60N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STP60NE06L-16

Proprietà del prodotto STP60NE06L-16 STP60NE06-16 STP60NF10 STP60NF06L
Modello di prodotti STP60NE06L-16 STP60NE06-16 STP60NF10 STP60NF06L
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 5 V 160 nC @ 10 V 104 nC @ 10 V 66 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±15V ±20V ±20V ±15V
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 30A, 10V 16mOhm @ 30A, 10V 23mOhm @ 40A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 10V, 5V
temperatura di esercizio 175°C (TJ) 175°C (TJ) - -65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie STripFET™ - STripFET™ II STripFET™ II
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4150 pF @ 25 V 6200 pF @ 25 V 4270 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc) 60A (Tc) 80A (Tc) 60A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 100 V 60 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Numero di prodotto di base STP60N STP60N STP60 STP60
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 150W (Tc) 300W (Tc) 110W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

STP60NE06L-16 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STP60NE06L-16 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STP60NE06L-16 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STP60NE06L-16(FP).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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