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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTP45N40DM2AG
STP45N40DM2AG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STP45N40DM2AG - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STP45N40DM2AG
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STP45N40DM2AG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 400V 38A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STP45N40DM2AG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9703

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STP45N40DM2AG
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STP45N40DM2AG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STP45N40DM2AG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2  
Rds On (max) a Id, Vgs 72mOhm @ 19A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 400 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)  
Numero di prodotto di base STP45  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STP45N40DM2AG

Proprietà del prodotto STP45N40DM2AG STP45NF3LL STP45N60DM6 STP45N10F7
Modello di prodotti STP45N40DM2AG STP45NF3LL STP45N60DM6 STP45N10F7
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±25V ±16V ±25V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 100 V 800 pF @ 25 V 1920 pF @ 100 V 1640 pF @ 50 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 72mOhm @ 19A, 10V 18mOhm @ 22.5A, 10V 99mOhm @ 15A, 10V 18mOhm @ 22.5A, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 STripFET™ II MDmesh™ DM6 DeepGATE™, STripFET™ VII
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Tensione drain-source (Vdss) 400 V 30 V 600 V 100 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 17 nC @ 5 V 44 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 1V @ 250µA 4.75V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) 70W (Tc) 210W (Tc) 60W (Tc)
Numero di prodotto di base STP45 STP45N STP45 STP45
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc) 45A (Tc) 30A (Tc) 45A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube

STP45N40DM2AG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STP45N40DM2AG PDF e la documentazione STMicroelectronics per STP45N40DM2AG - STMicroelectronics.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Schede tecniche
STP45N40DM2AG.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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