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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTP40NF10L
STP40NF10L Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STP40NF10L - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STP40NF10L
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STP40NF10L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STP40NF10L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 35670

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STP40NF10L
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STP40NF10L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STP40NF10L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±17V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie STripFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 33mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base STP40  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STP40NF10L

Proprietà del prodotto STP40NF10L STP40NF12 STP40NS15 STP40NF03L
Modello di prodotti STP40NF10L STP40NF12 STP40NS15 STP40NF03L
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 33mOhm @ 20A, 10V 32mOhm @ 20A, 10V 52mOhm @ 40A, 10V 22mOhm @ 20A, 10V
Serie STripFET™ STripFET™ II MESH OVERLAY™ STripFET™
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V 80 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 15 nC @ 4.5 V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 120 V 150 V 30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 40A (Tc) 40A (Tc) 40A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±17V ±20V ±20V ±16V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 150W (Tc) 140W (Tc) 70W (Tc)
Numero di prodotto di base STP40 STP40 STP40N STP40
temperatura di esercizio 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 25 V 1880 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V

STP40NF10L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STP40NF10L PDF e la documentazione STMicroelectronics per STP40NF10L - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Site Closure 13/Feb/2020.pdf
Packaging PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Schede tecniche
STP40NF10L.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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