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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTP30NM60N
STP30NM60N Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STP30NM60N - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STP30NM60N
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STP30NM60N
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STx30NM60N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4490

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STP30NM60N
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STP30NM60N, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STP30NM60N

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 12.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)  
Numero di prodotto di base STP30N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STP30NM60N

Proprietà del prodotto STP30NM60N STP32N65M5 STP30NF10 STP310N10F7
Modello di prodotti STP30NM60N STP32N65M5 STP30NF10 STP310N10F7
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 12.5A, 10V 119mOhm @ 12A, 10V 45mOhm @ 15A, 10V 2.7mOhm @ 60A, 10V
Serie MDmesh™ II MDmesh™ V STripFET™ II DeepGATE™, STripFET™ VII
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 3.8V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc) 24A (Tc) 35A (Tc) 180A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc) 150W (Tc) 115W (Tc) 315W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 650 V 100 V 100 V
Numero di prodotto di base STP30N STP32N STP30 STP310
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 50 V 3320 pF @ 100 V 1180 pF @ 25 V 12800 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±20V

STP30NM60N Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STP30NM60N PDF e la documentazione STMicroelectronics per STP30NM60N - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STx30NM60N.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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