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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTP2NK90Z
STP2NK90Z Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STP2NK90Z - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STP2NK90Z
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STP2NK90Z
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STP2NK90Z, STD2NK90Z(1).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 32730

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STP2NK90Z
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STP2NK90Z, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STP2NK90Z

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie SuperMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5Ohm @ 1.05A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 900 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A (Tc)  
Numero di prodotto di base STP2NK90  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STP2NK90Z

Proprietà del prodotto STP2NK90Z STP2NK100Z STP2N95K5 STP2NK60Z
Modello di prodotti STP2NK90Z STP2NK100Z STP2N95K5 STP2NK60Z
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A (Tc) 1.85A (Tc) 2A (Tc) 1.4A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V 499 pF @ 25 V 105 pF @ 100 V 170 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V 30V ±30V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5Ohm @ 1.05A, 10V 8.5Ohm @ 900mA, 10V 5Ohm @ 1A, 10V 8Ohm @ 700mA, 10V
Numero di prodotto di base STP2NK90 STP2NK100 STP2N95 STP2N
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA
Serie SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH5™ SuperMESH™
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc) 70W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 900 V 1000 V 950 V 600 V

STP2NK90Z Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STP2NK90Z PDF e la documentazione STMicroelectronics per STP2NK90Z - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Traceability 06/Mar/2017.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Site Closure 13/Feb/2020.pdf
Schede tecniche
STP2NK90Z, STD2NK90Z(1).pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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