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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTP26N60M2
STP26N60M2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

STP26N60M2 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STP26N60M2
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STP26N60M2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STx26N60M2.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 30251

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STP26N60M2
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STP26N60M2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STP26N60M2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie MDmesh™ M2  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) 169W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Numero di prodotto di base STP26  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STP26N60M2

Proprietà del prodotto STP26N60M2 STP265N6F6AG STP26NM60ND STP26N65DM2
Modello di prodotti STP26N60M2 STP265N6F6AG STP26NM60ND STP26N65DM2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Dissipazione di potenza (max) 169W (Tc) 300W (Tc) 190W (Tc) 170W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numero di prodotto di base STP26 STP265 STP26N STP26
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio - -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 180A (Tc) 21A (Tc) 20A (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±25V
Serie MDmesh™ M2 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 FDmesh™ II MDmesh™ DM2
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 60 V 600 V 650 V
Rds On (max) a Id, Vgs - 2.85mOhm @ 60A, 10V 175mOhm @ 10.5A, 10V 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (max) a Id - 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA

STP26N60M2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STP26N60M2 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STP26N60M2 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Schede tecniche
STx26N60M2.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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STP26N60M2

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