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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTP22NF03L
STP22NF03L Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STP22NF03L - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STP22NF03L
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STP22NF03L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 22A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STP22NF03L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3870

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STP22NF03L
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STP22NF03L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STP22NF03L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie STripFET™ II  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 11A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc)  
Numero di prodotto di base STP22N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STP22NF03L

Proprietà del prodotto STP22NF03L STP22NM60N STP21NM60ND STP22NS25Z
Modello di prodotti STP22NF03L STP22NM60N STP21NM60ND STP22NS25Z
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) 125W (Tc) 140W (Tc) 135W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 10V
Serie STripFET™ II MDmesh™ II FDmesh™ II MESH OVERLAY™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc) 16A (Tc) 17A (Tc) 22A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 11A, 10V 220mOhm @ 8A, 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V 150mOhm @ 11A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V 1300 pF @ 50 V 1800 pF @ 50 V 2400 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±15V ±30V ±25V ±20V
Numero di prodotto di base STP22N STP22 STP21N STP22N
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V 44 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 151 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 600 V 600 V 250 V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 4V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA

STP22NF03L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STP22NF03L PDF e la documentazione STMicroelectronics per STP22NF03L - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STP22NF03L.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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