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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTN6N60M2
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STN6N60M2 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STN6N60M2
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STN6N60M2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-3
Scheda dati
STN6N60M2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 121430

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STN6N60M2
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STN6N60M2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STN6N60M2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-2  
Serie MDmesh™ M2  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.25Ohm @ 2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 6W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-261-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base STN6  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STN6N60M2

Proprietà del prodotto STN6N60M2 STN5PF02V STN4NF06L STN4NF20L
Modello di prodotti STN6N60M2 STN5PF02V STN4NF06L STN4NF20L
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 100 V 412 pF @ 15 V 340 pF @ 25 V 150 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min) 2.8V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±8V ±16V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie MDmesh™ M2 STripFET™ II STripFET™ II STripFET™ II
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 10 V 6 nC @ 2.5 V 9 nC @ 5 V 0.9 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc) 4.2A (Tc) 4A (Tc) 1A (Tc)
Contenitore / involucro TO-261-3 TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-2 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Numero di prodotto di base STN6 STN5P STN4NF06 STN4NF20
Dissipazione di potenza (max) 6W (Tc) 2.5W (Tc) 3.3W (Tc) 3.3W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 20 V 60 V 200 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 2.5V, 4.5V 5V, 10V 5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 1.25Ohm @ 2A, 10V 80mOhm @ 2.1A, 4.5V 100mOhm @ 1.5A, 10V 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

STN6N60M2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STN6N60M2 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STN6N60M2 - STMicroelectronics.

Assemblaggio/origine PCN
Carrier/Cover Tape Supplier 23/Sep/2021.pdf
Schede tecniche
STN6N60M2.pdf

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Europa Germania 5
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Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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