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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTL23NS3LLH7
STL23NS3LLH7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STL23NS3LLH7 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STL23NS3LLH7
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STL23NS3LLH7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 92A POWERFLAT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
STL23NS3LLH7.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4870

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STL23NS3LLH7
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STL23NS3LLH7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STL23NS3LLH7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (3.3x3.3)  
Serie STripFET™ H7  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.7mOhm @ 11.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.9W (Ta), 50W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 92A (Tc)  
Numero di prodotto di base STL23  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STL23NS3LLH7

Proprietà del prodotto STL23NS3LLH7 STL24N65M2 STL22N65M5 STL23NM60ND
Modello di prodotti STL23NS3LLH7 STL24N65M2 STL22N65M5 STL23NM60ND
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 15 V 1060 pF @ 100 V 1345 pF @ 100 V 2050 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max) 2.9W (Ta), 50W (Tc) 125W (Tc) 2.8W (Ta), 110W (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc)
Numero di prodotto di base STL23 STL24 STL22 STL23
Serie STripFET™ H7 MDmesh™ M2 MDmesh™ V FDmesh™ II
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 4.5 V 29 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (8x8) HV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 92A (Tc) 14A (Tc) 15A (Tc) 19.5A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 1mA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 3.7mOhm @ 11.5A, 10V 250mOhm @ 7A, 10V 210mOhm @ 8.5A, 10V 180mOhm @ 10A, 10V
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 650 V 650 V 600 V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±25V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

STL23NS3LLH7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STL23NS3LLH7 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STL23NS3LLH7 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STL23NS3LLH7.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
STLYYY 07/Feb/2018.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STL23NS3LLH7

STMicroelectronics
32D-STL23NS3LLH7

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