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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSTL20DN10F7
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STL20DN10F7 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STL20DN10F7
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STL20DN10F7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
STL20DN10F7.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4560

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STL20DN10F7
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STL20DN10F7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STL20DN10F7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6)  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (max) a Id, Vgs 67mOhm @ 2.5A, 10V  
Potenza - Max 62.5W  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 408pF @ 50V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base STL20  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STL20DN10F7

Proprietà del prodotto STL20DN10F7 STL20DNF06LAG STL210N4F7 STL17N3LLH6
Modello di prodotti STL20DN10F7 STL20DNF06LAG STL210N4F7 STL17N3LLH6
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tensione drain-source (Vdss) 100V 60V 40 V 30 V
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII Automotive, AEC-Q101 STripFET F7 DeepGATE™, STripFET™ VI
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V 22.5nC @ 10V 43 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 408pF @ 50V 670pF @ 25V 3600 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V
Caratteristica FET - Logic Level Gate - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A 20A 120A (Tc) 17A (Tc)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 67mOhm @ 2.5A, 10V 40mOhm @ 4A, 10V 1.6mOhm @ 16A, 10V 4.5mOhm @ 8.5A, 10V
Potenza - Max 62.5W 75W - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base STL20 STL20 STL210 STL17
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3)

STL20DN10F7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STL20DN10F7 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STL20DN10F7 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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