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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTH360N4F6-2
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STH360N4F6-2 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STH360N4F6-2
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STH360N4F6-2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
STH360N4F6-2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 10069

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STH360N4F6-2
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STH360N4F6-2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STH360N4F6-2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore H2Pak-2  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.25mOhm @ 60A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 17930 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 340 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)  
Numero di prodotto di base STH360  

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Modello di prodotti STH360N4F6-2 STH400N4F6-2 STH320N4F6-6 STH320N4F6-2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore H2Pak-2 H2Pak-2 H2PAK-6 H²PAK
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc) 180A (Tc) 200A (Tc) 200A (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 340 nC @ 10 V 404 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Numero di prodotto di base STH360 STH400 STH320 STH320
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.25mOhm @ 60A, 10V 1.15mOhm @ 60A, 10V 1.3mOhm @ 80A, 10V 1.3mOhm @ 80A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 17930 pF @ 25 V 20500 pF @ 25 V 13800 pF @ 15 V 13800 pF @ 15 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI

STH360N4F6-2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STH360N4F6-2 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STH360N4F6-2 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STH360N4F6-2.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices 29/Nov/2017.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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