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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTH265N6F6-2AG
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STH265N6F6-2AG - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STH265N6F6-2AG
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STH265N6F6-2AG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
STH265N6F6-2AG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5020

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STH265N6F6-2AG
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STH265N6F6-2AG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STH265N6F6-2AG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore H2Pak-2  
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.1mOhm @ 60A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 183 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)  
Numero di prodotto di base STH265  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STH265N6F6-2AG

Proprietà del prodotto STH265N6F6-2AG STH275N8F7-6AG STH300NH02L-6 STH310N10F7-2
Modello di prodotti STH265N6F6-2AG STH275N8F7-6AG STH300NH02L-6 STH310N10F7-2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III DeepGATE™, STripFET™ VII
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11800 pF @ 25 V 13600 pF @ 50 V 7050 pF @ 15 V 12800 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 315W (Tc) 300W (Tc) 315W (Tc)
Numero di prodotto di base STH265 STH275 STH300 STH310
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore H2Pak-2 H2PAK-6 H²PAK H2Pak-2
Rds On (max) a Id, Vgs 2.1mOhm @ 60A, 10V 2.1mOhm @ 90A, 10V 1.2mOhm @ 80A, 10V 2.5mOhm @ 60A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 80 V 24 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 183 nC @ 10 V 193 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 1V @ 250µA 3.8V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 10V

STH265N6F6-2AG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STH265N6F6-2AG PDF e la documentazione STMicroelectronics per STH265N6F6-2AG - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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