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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTH15NB50FI
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STH15NB50FI - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STH15NB50FI
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STH15NB50FI
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
Descrizione dettagliata
Pacchetto
ISOWATT-218-3
Scheda dati
ST(H,W)15NB50(FI).pdf
In magazzino: 4780

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STH15NB50FI
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STH15NB50FI, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STH15NB50FI

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOWATT-218  
Serie PowerMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 360mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc)  
Contenitore / involucro ISOWATT-218-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base STH15N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STH15NB50FI

Proprietà del prodotto STH15NB50FI STH145N8F7-2AG STH175N4F6-2AG STH160N4LF6-2
Modello di prodotti STH15NB50FI STH145N8F7-2AG STH175N4F6-2AG STH160N4LF6-2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 360mOhm @ 7.5A, 10V 4mOhm @ 45A, 10V 2.4mOhm @ 60A, 10V 2.2mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc) 200W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 80 V 40 V 40 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 181 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore ISOWATT-218 H2Pak-2 H2Pak-2 H2Pak-2
Numero di prodotto di base STH15N STH145 STH175 STH160
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie PowerMESH™ Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 DeepGATE™, STripFET™ VI
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro ISOWATT-218-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Tc) 90A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 5V, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V 6340 pF @ 40 V 7735 pF @ 20 V 8130 pF @ 20 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

STH15NB50FI Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STH15NB50FI PDF e la documentazione STMicroelectronics per STH15NB50FI - STMicroelectronics.

Schede tecniche
ST(H,W)15NB50(FI).pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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