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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STGWT80H65DFB - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STGWT80H65DFB
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STGWT80H65DFB
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
STGW80H65DFB, STGWT80H65DFB.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 6130

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STGWT80H65DFB
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STGWT80H65DFB, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STGWT80H65DFB

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 650 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2V @ 15V, 80A  
Condizione di test 400V, 80A, 10Ohm, 15V  
Td (on / off) @ 25 ° C 84ns/280ns  
di scambio energetico 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 85 ns  
Potenza - Max 469 W  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT Trench Field Stop  
carica gate 414 nC  
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 240 A  
Corrente - collettore (Ic) (max) 120 A  
Numero di prodotto di base STGWT80  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STGWT80H65DFB

Proprietà del prodotto STGWT80H65DFB STGWT40H65FB STGWT38IH130D STGYA120M65DF2
Modello di prodotti STGWT80H65DFB STGWT40H65FB STGWT38IH130D STGYA120M65DF2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 650 V 650 V 1300 V 650 V
Corrente - collettore (Ic) (max) 120 A 80 A 63 A 160 A
Tempo di ripristino inverso (trr) 85 ns - - 202 ns
Serie - - PowerMESH™ M
Tipo IGBT Trench Field Stop Trench Field Stop - NPT, Trench Field Stop
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2V @ 15V, 80A 2.3V @ 15V, 40A 2.8V @ 15V, 20A 1.95V @ 15V, 120A
Condizione di test 400V, 80A, 10Ohm, 15V 400V, 40A, 5Ohm, 15V 960V, 20A, 10Ohm, 15V 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
di scambio energetico 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) 498mJ (on), 363mJ (off) 3.4mJ (off) 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Tipo di ingresso Standard Standard Standard Standard
Numero di prodotto di base STGWT80 STGWT40 STGWT38 STGYA120
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 240 A 160 A 125 A 360 A
Td (on / off) @ 25 ° C 84ns/280ns 40ns/142ns -/284ns 66ns/185ns
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3 Full Pack TO-247-3 Exposed Pad
Potenza - Max 469 W 283 W 250 W 625 W
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
carica gate 414 nC 210 nC 127 nC 420 nC
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P TO-3P TO-3P MAX247™

STGWT80H65DFB Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STGWT80H65DFB PDF e la documentazione STMicroelectronics per STGWT80H65DFB - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf TO-3P Marking Chg 11/Apr/2018.pdf
Assemblaggio/origine PCN
IGBT/IPM TFS A/T Add 22/Oct/2021.pdf
Schede tecniche
STGW80H65DFB, STGWT80H65DFB.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STGWT80H65DFB

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32D-STGWT80H65DFB

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