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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-singoloSTGP20NC60V
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

STGP20NC60V - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STGP20NC60V
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STGP20NC60V
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT 600V 60A 200W TO220
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
STG(B,P,W)20NC60V Datasheet.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 22750

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche STGP20NC60V
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STGP20NC60V, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STGP20NC60V

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.5V @ 15V, 20A  
Condizione di test 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V  
Td (on / off) @ 25 ° C 31ns/100ns  
di scambio energetico 220µJ (on), 330µJ (off)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie PowerMESH™  
Potenza - Max 200 W  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT -  
carica gate 100 nC  
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 100 A  
Corrente - collettore (Ic) (max) 60 A  
Numero di prodotto di base STGP20  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STGP20NC60V

Proprietà del prodotto STGP20NC60V STGP30H60DFB STGP20H60DF STGP15M65DF2
Modello di prodotti STGP20NC60V STGP30H60DFB STGP20H60DF STGP15M65DF2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V 600 V 600 V 650 V
Tipo IGBT - Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo di ingresso Standard Standard Standard Standard
carica gate 100 nC 149 nC 115 nC 45 nC
di scambio energetico 220µJ (on), 330µJ (off) 383µJ (on), 293µJ (off) 209µJ (on), 261µJ (off) 90µJ (on), 450µJ (off)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - collettore (Ic) (max) 60 A 60 A 40 A 30 A
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Condizione di test 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V 400V, 30A, 10Ohm, 15V 400V, 20A, 10Ohm, 15V 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 100 A 120 A 80 A 60 A
Td (on / off) @ 25 ° C 31ns/100ns 37ns/146ns 42.5ns/177ns 24ns/93ns
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.5V @ 15V, 20A 2V @ 15V, 30A 2V @ 15V, 20A 2V @ 15V, 15A
Numero di prodotto di base STGP20 STGP30 STGP20 STGP15
Serie PowerMESH™ - - -
Potenza - Max 200 W 260 W 167 W 136 W
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

STGP20NC60V Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STGP20NC60V PDF e la documentazione STMicroelectronics per STGP20NC60V - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Capacity Expansion 30/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
STG(B,P,W)20NC60V Datasheet.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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