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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

STGB3NB60SDT4 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STGB3NB60SDT4
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STGB3NB60SDT4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT 600V 6A 70W D2PAK
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
STGB3NB60SD.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 3900

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche STGB3NB60SDT4
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STGB3NB60SDT4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STGB3NB60SDT4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 1.5V @ 15V, 3A  
Condizione di test 480V, 3A, 1kOhm, 15V  
Td (on / off) @ 25 ° C 125ns/3.4µs  
di scambio energetico 1.15mJ (off)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie PowerMESH™  
Tempo di ripristino inverso (trr) 1.7 µs  
Potenza - Max 70 W  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT -  
carica gate 18 nC  
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 25 A  
Corrente - collettore (Ic) (max) 6 A  
Numero di prodotto di base STGB3  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STGB3NB60SDT4

Proprietà del prodotto STGB3NB60SDT4 STGB35N35LZT4 STGB5H60DF STGB35N35LZ-1
Modello di prodotti STGB3NB60SDT4 STGB35N35LZT4 STGB5H60DF STGB35N35LZ-1
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tempo di ripristino inverso (trr) 1.7 µs - 134.5 ns -
Vce (on) (max) a VGE, Ic 1.5V @ 15V, 3A 1.7V @ 4.5V, 15A 1.95V @ 15V, 5A 1.7V @ 4.5V, 15A
Tipo di ingresso Standard Logic Standard Logic
Condizione di test 480V, 3A, 1kOhm, 15V 300V, 15A, 5V 400V, 5A, 47Ohm, 15V 300V, 15A, 5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Td (on / off) @ 25 ° C 125ns/3.4µs 1.1µs/26.5µs 30ns/140ns 1.1µs/26.5µs
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 25 A 80 A 20 A 80 A
carica gate 18 nC 49 nC 43 nC 49 nC
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) I2PAK (TO-262)
Serie PowerMESH™ PowerMESH™ - PowerMESH™
Corrente - collettore (Ic) (max) 6 A 40 A 10 A 40 A
Numero di prodotto di base STGB3 STGB35 STGB5 STGB35
Potenza - Max 70 W 176 W 88 W 176 W
Tipo IGBT - - Trench Field Stop -
temperatura di esercizio 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
di scambio energetico 1.15mJ (off) - 56µJ (on), 78.5µJ (off) -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V 345 V 600 V 345 V

STGB3NB60SDT4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STGB3NB60SDT4 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STGB3NB60SDT4 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STGB3NB60SD.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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