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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTF8N80K5
STF8N80K5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STF8N80K5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STF8N80K5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STF8N80K5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
STF(I)8N80K5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 38010

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STF8N80K5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STF8N80K5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STF8N80K5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP  
Serie SuperMESH5™  
Rds On (max) a Id, Vgs 950mOhm @ 3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)  
Numero di prodotto di base STF8  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STF8N80K5

Proprietà del prodotto STF8N80K5 STF8NM60ND STF8NM50N STF8N60DM2
Modello di prodotti STF8N80K5 STF8NM60ND STF8NM50N STF8N60DM2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Numero di prodotto di base STF8 STF8 STF8 STF8
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc) 25W (Tc) 20W (Tc) 25W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FPAB
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 950mOhm @ 3A, 10V 700mOhm @ 3.5A, 10V 790mOhm @ 2.5A, 10V 600mOhm @ 4A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 100 V 560 pF @ 50 V 364 pF @ 50 V 449 pF @ 100 V
Serie SuperMESH5™ FDmesh™ II MDmesh™ II MDmesh™ DM2
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) 7A (Tc) 5A (Tc) 8A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 600 V 500 V 600 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -

STF8N80K5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STF8N80K5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STF8N80K5 - STMicroelectronics.

Assemblaggio/origine PCN
IPG/14/8597 17/Jul/2014.pdf
Schede tecniche
STF(I)8N80K5.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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