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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTF3N80K5
STF3N80K5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STF3N80K5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STF3N80K5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STF3N80K5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
STx3N80K5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 29603

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STF3N80K5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STF3N80K5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STF3N80K5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP  
Serie SuperMESH5™  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5Ohm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base STF3N80  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STF3N80K5

Proprietà del prodotto STF3N80K5 STF38N65M5 STF40NF06 STF3LN62K3
Modello di prodotti STF3N80K5 STF38N65M5 STF40NF06 STF3LN62K3
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 650 V 60 V 620 V
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5Ohm @ 1A, 10V 95mOhm @ 15A, 10V 28mOhm @ 11.5A, 10V 3Ohm @ 1.25A, 10V
Numero di prodotto di base STF3N80 STF38 STF40 STF3LN
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 100 V 3000 pF @ 100 V 920 pF @ 25 V 386 pF @ 50 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Serie SuperMESH5™ MDmesh™ V STripFET™ II SuperMESH3™
Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc) 35W (Tc) 30W (Tc) 20W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc) 30A (Tc) 23A (Tc) 2.5A (Tc)

STF3N80K5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STF3N80K5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STF3N80K5 - STMicroelectronics.

Assemblaggio/origine PCN
IPD/15/9124 20/Mar/2015.pdf
Schede tecniche
STx3N80K5.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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