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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTF33N60M2
STF33N60M2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STF33N60M2 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STF33N60M2
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STF33N60M2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
STx33N60M2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 20716

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STF33N60M2
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STF33N60M2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STF33N60M2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP  
Serie MDmesh™ II Plus  
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 13A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1781 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)  
Numero di prodotto di base STF33  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STF33N60M2

Proprietà del prodotto STF33N60M2 STF30N65M5 STF30NM50N STF34N65M5
Modello di prodotti STF33N60M2 STF30N65M5 STF30NM50N STF34N65M5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 650 V 500 V 650 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45.5 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 13A, 10V 139mOhm @ 11A, 10V 115mOhm @ 13.5A, 10V 110mOhm @ 14.5A, 10V
Serie MDmesh™ II Plus MDmesh™ V MDmesh™ II MDmesh™ V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc) 30W (Tc) 40W (Tc) 35W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1781 pF @ 100 V 2880 pF @ 100 V 2740 pF @ 50 V 2590 pF @ 100 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base STF33 STF30N STF30N STF34
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc) 22A (Tc) 27A (Tc) 28A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V

STF33N60M2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STF33N60M2 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STF33N60M2 - STMicroelectronics.

Assemblaggio/origine PCN
IPG/14/8597 17/Jul/2014.pdf
Schede tecniche
STx33N60M2.pdf
PCN Design/Specifica
STx33N60M2 Datasheet Chg 31/May/2019.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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