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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTF20N60M2-EP
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STF20N60M2-EP - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STF20N60M2-EP
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STF20N60M2-EP
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
STF20N60M2-EP.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 23888

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STF20N60M2-EP
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STF20N60M2-EP, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STF20N60M2-EP

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP  
Serie MDmesh™ M2-EP  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  
Numero di prodotto di base STF20  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STF20N60M2-EP

Proprietà del prodotto STF20N60M2-EP STF20NF20 STF20N65M5 STF20N90K5
Modello di prodotti STF20N60M2-EP STF20NF20 STF20N65M5 STF20N90K5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±30V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 200 V 650 V 900 V
Serie MDmesh™ M2-EP STripFET™ MDmesh™ V MDmesh™ K5
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) - 30W (Tc) 30W (Tc) 40W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs - 125mOhm @ 10A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V 250mOhm @ 10A, 10V
Numero di prodotto di base STF20 STF20 STF20 STF20
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 100µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 18A (Tc) 18A (Tc) 20A (Tc)

STF20N60M2-EP Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STF20N60M2-EP PDF e la documentazione STMicroelectronics per STF20N60M2-EP - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STF20N60M2-EP.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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