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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTF18NM80
STF18NM80 Image
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STF18NM80 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STF18NM80
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STF18NM80
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
STx18NM80.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9683

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STF18NM80
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STF18NM80, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STF18NM80

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP  
Serie MDmesh™  
Rds On (max) a Id, Vgs 295mOhm @ 8.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2070 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  
Numero di prodotto di base STF18  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STF18NM80

Proprietà del prodotto STF18NM80 STF18N60M2 STF19NF20 STF18N60DM2
Modello di prodotti STF18NM80 STF18N60M2 STF19NF20 STF18N60DM2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 21.5 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±25V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2070 pF @ 50 V 791 pF @ 100 V 800 pF @ 25 V 800 pF @ 100 V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 295mOhm @ 8.5A, 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V 160mOhm @ 7.5A, 10V 295mOhm @ 6A, 10V
Serie MDmesh™ MDmesh™ II Plus MESH OVERLAY™ MDmesh™ DM2
Numero di prodotto di base STF18 STF18 STF19 STF18
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) 13A (Tc) 15A (Tc) 13A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 600 V 200 V 600 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP

STF18NM80 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STF18NM80 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STF18NM80 - STMicroelectronics.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices 27/Feb/2019.pdf
Schede tecniche
STx18NM80.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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