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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTF140N8F7
STF140N8F7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STF140N8F7 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STF140N8F7
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STF140N8F7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
STF140N8F7.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3630

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STF140N8F7
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STF140N8F7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STF140N8F7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.3mOhm @ 32A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6340 pF @ 40 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc)  
Numero di prodotto di base STF14  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STF140N8F7

Proprietà del prodotto STF140N8F7 STF13NM50N STF14N80K5 STF140N6F7
Modello di prodotti STF140N8F7 STF13NM50N STF14N80K5 STF140N6F7
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 500 V 800 V 60 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base STF14 STF13 STF14 STF140
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 70A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc) 33W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6340 pF @ 40 V 960 pF @ 50 V 620 pF @ 100 V 3100 pF @ 25 V
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ II MDmesh™ K5 STripFET™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±30V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 4.3mOhm @ 32A, 10V 320mOhm @ 6A, 10V 445mOhm @ 6A, 10V 3.5mOhm @ 35A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube

STF140N8F7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STF140N8F7 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STF140N8F7 - STMicroelectronics.

Assemblaggio/origine PCN
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices OBS 29/Mar/2019.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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