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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTF12N65M5
STF12N65M5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STF12N65M5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STF12N65M5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STF12N65M5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-5 Full Pack
Scheda dati
STx12N65M5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 35219

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STF12N65M5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STF12N65M5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STF12N65M5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (max) a Id, Vgs 430mOhm @ 4.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-5 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base STF12  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STF12N65M5

Proprietà del prodotto STF12N65M5 STF12NK80Z STF12N50DM2 STF12NM50ND
Modello di prodotti STF12N65M5 STF12NK80Z STF12N50DM2 STF12NM50ND
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±25V
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc) 40W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base STF12 STF12 STF12 STF12
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie MDmesh™ V SuperMESH™ MDmesh™ DM2 FDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs 430mOhm @ 4.3A, 10V 750mOhm @ 5.25A, 10V 350mOhm @ 5.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.5A (Tc) 10.5A (Tc) 11A (Tc) 11A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4.5V @ 100µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 100 V 2620 pF @ 25 V 628 pF @ 100 V 850 pF @ 50 V
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 800 V 500 V 500 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-220-5 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

STF12N65M5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STF12N65M5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STF12N65M5 - STMicroelectronics.

Assemblaggio/origine PCN
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
PCN Design/Specifica
Datasheet Rev 09/Feb/2022.pdf
Schede tecniche
STx12N65M5.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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