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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTE48NM60
STE48NM60 Image
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STE48NM60 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STE48NM60
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STE48NM60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
ISOTOP
Scheda dati
STE48NM60.pdf
In magazzino: 3880

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STE48NM60
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STE48NM60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STE48NM60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP®  
Serie MDmesh™  
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 22.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc)  
Contenitore / involucro ISOTOP  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc)  
Numero di prodotto di base STE48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STE48NM60

Proprietà del prodotto STE48NM60 STE45NK80ZD STE70NM50 STE70NM60
Modello di prodotti STE48NM60 STE45NK80ZD STE70NM50 STE70NM60
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc) 45A (Tc) 70A (Tc) 70A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 800 V 500 V 600 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Serie MDmesh™ SuperFREDmesh™ MDmesh™ MDmesh™
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro ISOTOP ISOTOP ISOTOP ISOTOP
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 25 V 26000 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V 7300 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4.5V @ 150µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V 781 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base STE48 STE45 STE70 STE70
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 22.5A, 10V 130mOhm @ 22.5A, 10V 50mOhm @ 30A, 10V 55mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

STE48NM60 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STE48NM60 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STE48NM60 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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