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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTE30NK90Z
STE30NK90Z Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STE30NK90Z - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STE30NK90Z
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STE30NK90Z
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
ISOTOP
Scheda dati
STE30NK90Z.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4600

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STE30NK90Z
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STE30NK90Z, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STE30NK90Z

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 150µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP®  
Serie SuperMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 260mOhm @ 14A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc)  
Contenitore / involucro ISOTOP  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 490 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 900 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)  
Numero di prodotto di base STE30  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STE30NK90Z

Proprietà del prodotto STE30NK90Z STE26NA90 STE40NK90ZD STE250NS10
Modello di prodotti STE30NK90Z STE26NA90 STE40NK90ZD STE250NS10
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numero di prodotto di base STE30 STE26 STE40 STE250
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 150µA 3.75V @ 1mA 4.5V @ 150µA 4V @ 250µA
Serie SuperMESH™ - SuperFREDmesh™ STripFET™
Contenitore / involucro ISOTOP ISOTOP ISOTOP ISOTOP
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Tensione drain-source (Vdss) 900 V 900 V 900 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 490 nC @ 10 V 660 nC @ 10 V 826 nC @ 10 V 900 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc) 450W (Tc) 600W (Tc) 500W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 260mOhm @ 14A, 10V 300mOhm @ 13A, 10V 180mOhm @ 20A, 10V 5.5mOhm @ 125A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 25 V 1770 pF @ 25 V 25000 pF @ 25 V 31000 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc) 26A (Tc) 40A (Tc) 220A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

STE30NK90Z Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STE30NK90Z PDF e la documentazione STMicroelectronics per STE30NK90Z - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STE30NK90Z.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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