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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD85N3LH5
STD85N3LH5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD85N3LH5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD85N3LH5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD85N3LH5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
STx85N3LH5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4180

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STD85N3LH5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD85N3LH5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD85N3LH5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±22V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie STripFET™ V  
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD85  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD85N3LH5

Proprietà del prodotto STD85N3LH5 STD86N3LH5 STD888T4-E STD83003
Modello di prodotti STD85N3LH5 STD86N3LH5 STD888T4-E STD83003
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 40A, 10V 5mOhm @ 40A, 10V - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 5 V 14 nC @ 5 V - -
Numero di prodotto di base STD85 STD86 - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) - -
Vgs (Max) ±22V ±20V - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V 1850 pF @ 25 V - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V - -
Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc) 70W (Tc) - -
Serie STripFET™ V Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V - -
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK - -
temperatura di esercizio 175°C (TJ) 175°C (TJ) - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -

STD85N3LH5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD85N3LH5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD85N3LH5 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence/ EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdf
Schede tecniche
STx85N3LH5.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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