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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD7N60DM2
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD7N60DM2 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD7N60DM2
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD7N60DM2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 6A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
STD7N60DM2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 78740

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STD7N60DM2
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD7N60DM2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD7N60DM2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252)  
Serie MDmesh™ DM2  
Rds On (max) a Id, Vgs 900mOhm @ 3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 324 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD7N60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD7N60DM2

Proprietà del prodotto STD7N60DM2 STD7N60M6 STD7N80K5 STD7N65M2
Modello di prodotti STD7N60DM2 STD7N60M6 STD7N80K5 STD7N65M2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252) D-PAK (TO-252) DPAK DPAK
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 800 V 650 V
Rds On (max) a Id, Vgs 900mOhm @ 3A, 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4.75V @ 250µA 4.75V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base STD7N60 STD7 STD7N80 STD7N65
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) 5.8A (Tc) 6A (Tc) 5A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 324 pF @ 100 V 237 pF @ 100 V 360 pF @ 100 V 270 pF @ 100 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V 5.1 nC @ 10 V 13.4 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) 72W (Tc) 110W (Tc) 60W (Tc)
Serie MDmesh™ DM2 - SuperMESH5™ MDmesh™

STD7N60DM2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD7N60DM2 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD7N60DM2 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Schede tecniche
STD7N60DM2.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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