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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD6NK50ZT4
STD6NK50ZT4 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD6NK50ZT4 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD6NK50ZT4
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD6NK50ZT4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
STx6NK50Z.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 44570

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STD6NK50ZT4
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD6NK50ZT4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD6NK50ZT4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD6NK50  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD6NK50ZT4

Proprietà del prodotto STD6NK50ZT4 STD6N95K5 STD6NM60N-1 STD6NM60N
Modello di prodotti STD6NK50ZT4 STD6N95K5 STD6NM60N-1 STD6NM60N
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 25 V 450 pF @ 100 V 420 pF @ 50 V 420 pF @ 50 V
Serie SuperMESH™ SuperMESH5™ MDmesh™ II MDmesh™ II
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Tc) 9A (Tc) 4.6A (Tc) 4.6A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.8A, 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V 920mOhm @ 2.3A, 10V 920mOhm @ 2.3A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 950 V 600 V 600 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Numero di prodotto di base STD6NK50 STD6N95 STD6N STD6N
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24.6 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK TO-251 (IPAK) DPAK
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc) 90W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)

STD6NK50ZT4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD6NK50ZT4 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD6NK50ZT4 - STMicroelectronics.

Assemblaggio/origine PCN
IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf
Schede tecniche
STx6NK50Z.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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