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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD6N62K3
STD6N62K3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD6N62K3 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD6N62K3
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD6N62K3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
ST(B,D)6N62K3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 39390

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STD6N62K3
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD6N62K3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD6N62K3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.28Ohm @ 2.8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 706 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25.7 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 620 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD6  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD6N62K3

Proprietà del prodotto STD6N62K3 STD6N60DM2 STD6N90K5 STD6N95K5
Modello di prodotti STD6N62K3 STD6N60DM2 STD6N90K5 STD6N95K5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25.7 nC @ 10 V 6.2 nC @ 10 V - 13 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie SuperMESH3™ MDmesh™ DM2 MDmesh™ K5 SuperMESH5™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 706 pF @ 50 V 274 pF @ 100 V - 450 pF @ 100 V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA 4.75V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 100µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 1.28Ohm @ 2.8A, 10V 1.1Ohm @ 2.5A, 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore DPAK D-PAK (TO-252) DPAK DPAK
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc) 60W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Tensione drain-source (Vdss) 620 V 600 V 900 V 950 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base STD6 STD6N60 STD6N90 STD6N95
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc) 5A (Tc) 6A (Tc) 9A (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -

STD6N62K3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD6N62K3 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD6N62K3 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Assemblaggio/origine PCN
IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf
PCN Design/Specifica
New Lead Frame Design 17/Mar/2023.pdf
Schede tecniche
ST(B,D)6N62K3.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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