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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD4NK80Z-1
STD4NK80Z-1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD4NK80Z-1 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD4NK80Z-1
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD4NK80Z-1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
ST(D,P)4NK80Z(-1,FP).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 48870

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STD4NK80Z-1
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD4NK80Z-1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD4NK80Z-1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251 (IPAK)  
Serie SuperMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 575 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD4NK80  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD4NK80Z-1

Proprietà del prodotto STD4NK80Z-1 STD4NS25T4 STD4NK60ZT4 STD4NK80ZT4
Modello di prodotti STD4NK80Z-1 STD4NS25T4 STD4NK60ZT4 STD4NK80ZT4
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 575 pF @ 25 V 355 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 575 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22.5 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 22.5 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-251 (IPAK) DPAK DPAK DPAK
Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc) 50W (Tc) 70W (Tc) 80W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 250 V 600 V 800 V
Numero di prodotto di base STD4NK80 STD4N STD4NK60 STD4NK80
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc) 3A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 1.1Ohm @ 2A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA
Serie SuperMESH™ MESH OVERLAY™ SuperMESH™ SuperMESH™
Caratteristica FET - - - -

STD4NK80Z-1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD4NK80Z-1 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD4NK80Z-1 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Schede tecniche
ST(D,P)4NK80Z(-1,FP).pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site 22/Nov/2022.pdf

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD4NK80Z-1

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32D-STD4NK80Z-1

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