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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD4NK50ZD-1
STD4NK50ZD-1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD4NK50ZD-1 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD4NK50ZD-1
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD4NK50ZD-1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
STx4NK50ZD(-1).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3700

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STD4NK50ZD-1
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD4NK50ZD-1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD4NK50ZD-1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD4N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD4NK50ZD-1

Proprietà del prodotto STD4NK50ZD-1 STD4NK60Z-1 STD4NK50ZT4 STD4NK50ZD
Modello di prodotti STD4NK50ZD-1 STD4NK60Z-1 STD4NK50ZT4 STD4NK50ZD
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc) 4A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) 70W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.5A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V 2.7Ohm @ 1.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Numero di prodotto di base STD4N STD4NK60 STD4 STD4N
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 600 V 500 V 500 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK I-PAK DPAK DPAK
Serie SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount

STD4NK50ZD-1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD4NK50ZD-1 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD4NK50ZD-1 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STx4NK50ZD(-1).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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