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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD4N90K5
STD4N90K5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD4N90K5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD4N90K5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD4N90K5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
STD4N90K5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 49820

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STD4N90K5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD4N90K5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD4N90K5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie MDmesh™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.1Ohm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 173 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.3 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 900 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD4N90  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD4N90K5

Proprietà del prodotto STD4N90K5 STD4N52K3 STD4N80K5 STD4N62K3
Modello di prodotti STD4N90K5 STD4N52K3 STD4N80K5 STD4N62K3
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.1Ohm @ 1A, 10V 2.6Ohm @ 1.25A, 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V 1.95Ohm @ 1.9A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc) 2.5A (Tc) 3A (Tc) 3.8A (Tc)
Numero di prodotto di base STD4N90 STD4 STD4N80 STD4N62
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 900 V 525 V 800 V 620 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 173 pF @ 100 V 334 pF @ 100 V 175 pF @ 100 V 450 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) 45W (Tc) 60W (Tc) 70W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.3 nC @ 10 V 2 nC @ 10 V 10.5 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ SuperMESH3™ SuperMESH5™ SuperMESH3™

STD4N90K5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD4N90K5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD4N90K5 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Wire Chg 12/Nov/2018.pdf
Schede tecniche
STD4N90K5.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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