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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD3N95K5AG
STD3N95K5AG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD3N95K5AG - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD3N95K5AG
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD3N95K5AG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
STD3N95K5AG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 40890

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STD3N95K5AG
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD3N95K5AG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD3N95K5AG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ K5  
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 105 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 950 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD3N95K5AG

Proprietà del prodotto STD3N95K5AG STD3NK100Z STD3N80K5 STD3LN62K3
Modello di prodotti STD3N95K5AG STD3NK100Z STD3N80K5 STD3LN62K3
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numero di prodotto di base STD3 STD3NK100 STD3N80 STD3LN62
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ K5 SuperMESH™ SuperMESH5™ SuperMESH3™
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK
Tensione drain-source (Vdss) 950 V 1000 V 800 V 620 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc) 2.5A (Tc) 2.5A (Tc) 2.5A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V 6Ohm @ 1.25A, 10V 3.5Ohm @ 1A, 10V 3Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 105 pF @ 100 V 601 pF @ 25 V 130 pF @ 100 V 386 pF @ 50 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) 90W (Tc) 60W (Tc) 45W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

STD3N95K5AG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD3N95K5AG PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD3N95K5AG - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
Schede tecniche
STD3N95K5AG.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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