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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD38NH02LT4
STD38NH02LT4 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD38NH02LT4 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD38NH02LT4
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD38NH02LT4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
STD38NH02L(-1).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3880

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STD38NH02LT4
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD38NH02LT4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD38NH02LT4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie STripFET™ III  
Rds On (max) a Id, Vgs 13.5mOhm @ 19A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1070 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 24 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD38  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD38NH02LT4

Proprietà del prodotto STD38NH02LT4 STD3N40K3 STD38NH02L-1 STD36NH02L
Modello di prodotti STD38NH02LT4 STD3N40K3 STD38NH02L-1 STD36NH02L
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1070 pF @ 25 V 165 pF @ 50 V 1070 pF @ 25 V 860 pF @ 15 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Serie STripFET™ III SuperMESH3™ STripFET™ III STripFET™ III
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) 30W (Tc) 40W (Tc) 45W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK I-PAK DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc) 2A (Tc) 38A (Tc) 30A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 13.5mOhm @ 19A, 10V 3.4Ohm @ 900mA, 10V 13.5mOhm @ 19A, 10V 14.5mOhm @ 15A, 10V
Numero di prodotto di base STD38 STD3 STD38 STD36
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 24 V 400 V 24 V 24 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 5V, 10V 5V, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA

STD38NH02LT4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD38NH02LT4 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD38NH02LT4 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STD38NH02L(-1).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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